天博消息称三星完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发开始向量产线转移

　　天博IT之家 12 月 9 日消息，韩媒 SEDaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽 1 号工厂的量产线上。

　　韩媒认为三星V10 NAND 将采用三堆栈结构。据悉该闪存在开发阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正努力在量产线 代 V-NAND 良率，如果情况顺利将于 2025 下半年得到 PRA 量产就绪许可天博，最快明年二季度末就可能进入量产阶段。

　　根据 TrendForce 集邦咨询数据，三星电子在 2024 年三季度继续蝉联第一大 NAND 闪存原厂天博。而除积极研发外该企业还在通过扩充先进产能以进一步稳固领先地位：三星计划明年在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工厂的制程升级工作也在推进。